云潼科技有限公司（以下簡稱“公司”）于2018年開始專注于車規(guī)級IGBT和MOSFET國產(chǎn)化替代和車規(guī)級功率半導(dǎo)體的研發(fā)。
近日公司自主設(shè)計研發(fā)的車用750V平臺IGBT芯片已優(yōu)化升級！
公司與國內(nèi)知名晶圓代工廠緊密合作，開發(fā)出性能更加優(yōu)越的8英寸750V150A IGBT芯片，全面支持450V以下電壓平臺的新能源汽車應(yīng)用。
該芯片采用業(yè)界最先進的溝槽柵場終止（trench FS）技術(shù)，結(jié)合載流子存儲技術(shù)和超薄片工藝技術(shù)，獲得了極低的導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗。
通過優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)和工藝，使器件各參數(shù)得到了良好的折中，綜合性能達到業(yè)界領(lǐng)先水平，并且通過了一系列車規(guī)級的測試和可靠性實驗驗證，可用于新能源汽車電機驅(qū)動等領(lǐng)域。
